Каждая эпоха приносит своих героев, мастеров своего дела, чьи достижения и таланты оказывают глубокое влияние на науку и технологии. Одним из таких стал Вадим Лашкарев — выдающийся ученый, чья жизнь и деятельность оставили неизгладимый след в мире полупроводниковой науки. Далее на kyiv.name.
Становление Вадима Лашкарева как ученого
Вадим Евгеньевич Лашкарев родился 7 октября 1903 года в Киеве, в знатной семье, ведь отец Евгений Иванович был прокурором Киевской судебной палаты. Стоит отметить, что в родословной Лашкарева есть такие выдающиеся фигуры как: талантливый российский дипломат Сергей Лазаревич Лашкарев и дальний родственник выдающийся авиаконструктор Игорь Иванович Сикорский. Образование Вадим получил в Киевском университете им. Тараса Шевченко, впоследствии стал аспирантом и преподавателем на кафедре физики в Киевском политехническом институте. Это были времена активного научного поиска и деятельности, которые стали базой для его будущих достижений.
Профессиональная деятельность и достижения Вадима Лашкарева
Первые исследования Лашкарева были связаны с отраслью рентгеновского излучения. Он впервые создал метод, который измеряет коэффициент преломления рентгеновских лучей. Впоследствии ученый обнародовал свои первые теоретические работы, связанные с движением света и материи в гравитационном поле. Среди них: «К теории движения материи и света в гравитационном поле», «К теории гравитации» и другие.
Через пару лет Лашкарев начал работать в Институте физики, где занял должность заведующего отделом рентгеновской физики. Начиная с 1930 года, Вадим Евгеньевич переезжает в Ленинград по приглашению академика Абрама Иоффе. Здесь он начинает руководить лабораторией в Физико-техническом институте. Первые годы возглавлял отдел рентгеновских лучей, а впоследствии, отдел дифракции электронов. Его работы по распределению электронной плотности в кристаллах стали пионерскими и были отражены в монографии «Дифракция электронов», которая без публичной защиты диссертации принесла Вадиму ученую степень доктора физико-математических наук.
Однако жизнь ученого складывалась не так хорошо, как хотелось бы. В 1935 году его арестовывают за участие в мистической группе и отсылают в Архангельск. Этот период тяжелых испытаний не смог сломить дух Вадима Лашкарева, и после возвращения из ссылки ученый все же продолжил заниматься наукой, правда вектор несколько изменился. Впоследствии, Лашкарев возглавляет отдел полупроводников Института физики Академии наук УССР. Ключевым событием в его карьере стало открытие «p-n» перехода, с помощью которого способны работать все современные полупроводниковые приборы. По технологии «транзисторного эффекта» впоследствии американские ученые создали плоскостной транзистор, запатентовав его, получили Нобелевскую премию. По праву получить награду должен был бы Лашкарев, ведь именно он открыл «p-n» переход, но так этого и не произошло. Несмотря на несправедливость, Вадим продолжал работать на ниве науки и в тот период под его руководством было организовано изготовление точечных транзисторов.
Все дальнейшие исследования ученого в области фото-ЭДС, эффектов в полупроводниках и разработка кристаллов германия сыграли большую роль в становлении и развитии полупроводниковой микроэлектроники. В 1950-1960-е годы Лашкарев активно работал над исследованиями физических свойств полупроводников, дифракцией электронов и рентгеновскими лучами, что сделало его одним из основоположников транзисторной микроэлектроники.
Умер выдающийся украинский ученый 1 декабря 1974 года в Киеве, похоронили на Байковом кладбище.
За свои заслуги в сфере науки Вадим Евгеньевич Лашкарев получил такие награды, как: орден «Знак Почета» и посмертная Государственная премия УССР в области науки и техники.