Кожна епоха приносить своїх героїв, майстрів своєї справи, чиї досягнення та таланти надають глибокий вплив на науку та технології. Одним із таких став Вадим Лашкарьов – видатний вчений, чиє життя та діяльність залишили незабутній слід у світі напівпровідникової науки. Далі на kyiv.name.
Становлення Вадима Лашкарьова як науковця
Вадим Євгенович Лашкарьов народився 7 жовтня 1903 року у Києві, в знатній родині, адже батько Євген Іванович був прокурором Київської судової палати. Варто зазначити, що в родоводі Лашкарьова є такі видатні постаті як: талановитий російський дипломат Сергій Лазаревич Лашкарьов та далекий родич видатний авіаконструктор Ігор Іванович Сікорський. Освіту Вадим здобув у Київському університеті ім. Тараса Шевченка, згодом став аспірантом та викладачем на кафедрі фізики в Київському політехнічному інституті. Це були часи активного наукового пошуку та діяльності, які стали базою для його майбутніх досягнень.
Професійна діяльність та досягнення Вадима Лашкарьова
Перші дослідження Лашкарьова були пов’язані з галуззю рентгенівського випромінювання. Він вперше створив метод, який вимірює коефіцієнт заломлення рентгенівських променів. Згодом науковець оприлюднив свої перші теоретичні роботи, пов’язані з рухом світла та матерії в гравітаційному полі. Серед них: “До теорії руху матерії та світла в гравітаційному полі”, “До теорії гравітації” тощо.
Через пару років Лашкарьов почав працювати в Інституті фізики, де обійняв посаду завідувача відділу рентгенівської фізики. Починаючи з 1930 року, Вадим Євгенович переїжджає до Ленінграда на запрошення академіка Абрама Іоффе. Тут він починає керувати лабораторією у Фізико-технічному інституті. Перші роки очолював відділ рентгенівських променів, а згодом, відділ дифракції електронів. Його роботи з розподілу електронної щільності в кристалах стали піонерськими і були відображені в монографії “Дифракція електронів”, яка без публічного захисту дисертації принесла Вадиму наукову ступінь доктора фізико-математичних наук.
Однак життя науковця складалося не так добре, як хотілося б. У 1935 році його заарештовують за участь у містичній групі та відсилають до Архангельська. Цей період важких випробувань не зміг зламати дух Вадима Лашкарьова, і після повернення із заслання науковець все ж продовжив займатися наукою, правда вектор дещо змінився. Згодом, Лашкарьов очолює відділ напівпровідників Інституту фізики Академії наук УРСР. Ключовою подією у його кар’єрі стало відкриття “p-n” переходу, за допомогою якого здатні працювати всі сучасні напівпровідникові прилади. За технологією “транзисторного эффекта” згодом американські вчені створили площинний транзистор, запатентувавши його, отримали Нобелівську премію. По праву отримати нагороду мав би Лашкарьов, адже саме він відкрив “p-n” перехід, але так цього і не сталося. Попри несправедливість, Вадим продовжував працювати на ниві науки і в той період під його керівництвом було організовано виготовлення точкових транзисторів.
Всі подальші дослідження науковця в області фото-ЕРС, ефектів у напівпровідниках та розробка кристалів германію відіграли неабияку роль у становленні та розвитку напівпровідникової мікроелектроніки. У 1950-1960-ті роки Лашкарьов активно працював над дослідженнями фізичних властивостей напівпровідників, дифракцією електронів та рентгенівськими променями, що зробило його одним з основоположників транзисторної мікроелектроніки.
Помер видатний український науковець 1 грудня 1974 року у Києві, поховали на Байковому кладовищі.
За свої заслуги в сфері науки Вадим Євгенович Лашкарьов отримав такі нагороди, як: орден “Знак Пошани” та посмертна Державна премія УРСР у галузі науки та техніки.